MOSFET ROHM canal N, TSMT 4 A 45 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ROHMType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
4 A
Tension Drain Source maximum
45 V
Type de conditionnement
TSMT
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
100 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
1.25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-21 V, +21 V
Charge de Grille type @ Vgs
10 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.8mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Hauteur
0.95mm
Pays d'origine
Thailand
Détails du produit
Transistors MOSFET canal N, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 15) (hors TVA)
15
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N
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Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
1.25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-21 V, +21 V
Charge de Grille type @ Vgs
10 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
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Largeur
1.8mm
Matériau du transistor
Si
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