Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
30 A
Tension Drain Source maximum
750 V
Séries
SCT060HU
Type de conditionnement
HU3PAK
Type de montage
CMS
Nombre de broche
7
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC
Pays d'origine
Japan
Prix sur demande
Paquet de production (Bobine)
1
Prix sur demande
Paquet de production (Bobine)
1
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N
Courant continu de Drain maximum
30 A
Tension Drain Source maximum
750 V
Séries
SCT060HU
Type de conditionnement
HU3PAK
Type de montage
CMS
Nombre de broche
7
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC
Pays d'origine
Japan