Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3.5 A
Tension Drain Source maximum
1000 V
Type de conditionnement
A-220
Séries
MDmesh, SuperMESH
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
3.7 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
30 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
42 nC V @ 10
Largeur
4.6mm
Taille
9.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 5,38
€ 2,688 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
€ 5,38
€ 2,688 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
2 - 8 | € 2,688 | € 5,38 |
10 - 98 | € 2,273 | € 4,55 |
100 - 498 | € 1,817 | € 3,64 |
500 - 998 | € 1,619 | € 3,24 |
1000+ | € 1,367 | € 2,74 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3.5 A
Tension Drain Source maximum
1000 V
Type de conditionnement
A-220
Séries
MDmesh, SuperMESH
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
3.7 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
30 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
42 nC V @ 10
Largeur
4.6mm
Taille
9.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit