Transistor MOSFET STMicroelectronics canal N, PowerFLAT 8 x 8 HV 25 A 600 V, 5 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
25 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de boîtier
PowerFLAT 8 x 8 HV
Type de montage
CMS
Nombre de broche
5
Résistance Drain Source maximum
110 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.75V
Tension de seuil minimale de la grille
3.25V
Dissipation de puissance maximum
160 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±25 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
8.1mm
Longueur
8.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
44 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.5V
Taille
0.9mm
Pays d'origine
China
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€ 10 578,84
€ 3,526 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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CMS
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5
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.75V
Tension de seuil minimale de la grille
3.25V
Dissipation de puissance maximum
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±25 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
8.1mm
Longueur
8.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
44 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
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