MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-220 14 A 500 V, 3 broches

N° de stock RS: 761-0014PMarque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STP14NK50Z
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Documents techniques

Spécifications

Brand

STMicroelectronics

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

14 A

Tension Drain Source maximum

500 V

Série

MDmesh, SuperMESH

Type de boîtier

TO-220

Type de fixation

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum

380 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4.5V

Tension de seuil minimale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

150000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Charge de Grille type @ Vgs

69 nC @ 10 V

Largeur

4.6mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.4mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

15.75mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 24,10

€ 2,41 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)

MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-220 14 A 500 V, 3 broches
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Paquet de production (Tube)

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Standard - each

Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 5
10€ 24,10
15€ 36,15
20€ 48,20
25€ 60,25
30€ 72,30
35€ 84,35
40€ 96,40
45€ 108,45
50€ 120,50
55€ 132,55
60€ 144,60
65€ 156,64
70€ 168,69
75€ 180,74
80€ 192,79

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45€ 108,45
50€ 120,50
55€ 132,55
60€ 144,60
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QuantitéPrix unitairePar Tube
10 - 95€ 2,41€ 12,05
100 - 495€ 1,931€ 9,66
500 - 995€ 1,718€ 8,59
1000+€ 1,45€ 7,25

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500 V

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TO-220

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Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum

380 mΩ

Mode de canal

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4.5V

Tension de seuil minimale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

150000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Charge de Grille type @ Vgs

69 nC @ 10 V

Largeur

4.6mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.4mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

15.75mm

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