MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 13 A 550 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
13 A
Tension Drain Source maximum
550 V
Type de boîtier
TO-220
Séries
MDmesh M5
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
240 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
90 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
31 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
15.75mm
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics
Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 78,08
€ 1,562 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 78,08
€ 1,562 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,562 | € 78,08 |
| 100+ | € 1,522 | € 76,12 |
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Séries
MDmesh M5
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
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3V
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90 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
31 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
15.75mm
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics
Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.
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