Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
30 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Séries
STripFET
Type de boîtier
A-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
75 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
38 nC V @ 10
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
15.75mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 54,99
€ 2,20 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
25
€ 54,99
€ 2,20 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
25
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Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
---|---|---|
25 - 45 | € 2,20 | € 11,00 |
50 - 120 | € 1,98 | € 9,90 |
125 - 245 | € 1,781 | € 8,91 |
250+ | € 1,692 | € 8,46 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
30 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Séries
STripFET
Type de boîtier
A-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
75 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
38 nC V @ 10
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
15.75mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit