Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
2 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
STripFET
Type de conditionnement
TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
90 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
350 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.75mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
6 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.3mm
Tension directe de la diode
1.1V
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance STripFET™ à canal P, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 92,35
€ 0,369 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
250
€ 92,35
€ 0,369 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
250
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Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
250 - 450 | € 0,369 | € 18,47 |
500 - 1200 | € 0,332 | € 16,62 |
1250+ | € 0,33 | € 16,52 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
2 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
STripFET
Type de conditionnement
TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
90 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
350 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.75mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
6 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.3mm
Tension directe de la diode
1.1V
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance STripFET™ à canal P, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.