MOSFET STMicroelectronics canal N, A-247 18 A 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
18 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Série
MDmesh M2
Type d'emballage
TO-247
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
190 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
150 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Matériau du transistor
Si
Largeur
5.15mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.75mm
Charge de Grille type @ Vgs
29 nC@ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
20.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 13,98
€ 2,796 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 13,98
€ 2,796 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,796 | € 13,98 |
| 25 - 45 | € 2,656 | € 13,28 |
| 50 - 120 | € 2,39 | € 11,95 |
| 125 - 245 | € 2,152 | € 10,76 |
| 250+ | € 2,044 | € 10,22 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
18 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Série
MDmesh M2
Type d'emballage
TO-247
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
190 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
150 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Matériau du transistor
Si
Largeur
5.15mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.75mm
Charge de Grille type @ Vgs
29 nC@ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
20.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.