MOSFET STMicroelectronics canal N, A-247 40 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
40 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de boîtier
TO-247
Séries
MDmesh DM2
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
79 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
300 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Longueur
15.75mm
Charge de Grille type @ Vgs
70 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.6V
Taille
20.15mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
Capacité dV/dt élevée pour une meilleure fiabilité du système
Certifié AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 167,44
€ 5,581 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 5,581 | € 167,44 |
| 60 - 120 | € 5,439 | € 163,16 |
| 150+ | € 5,302 | € 159,06 |
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N
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40 A
Tension Drain Source maximum
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Séries
MDmesh DM2
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
79 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
300 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Longueur
15.75mm
Charge de Grille type @ Vgs
70 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.6V
Taille
20.15mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
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