MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 12 A 60 V, 8 broches

N° de stock RS: 208-8482Marque: Texas InstrumentsN° de pièce Mfr: CSD18543Q3A
brand-logo
Tout voir dans Transistors MOSFET

Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

12 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Série

NexFET

Type de conditionnement

VSONP

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

1.2e+006 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1.5V

Nombre d'éléments par circuit

1

Matériau du transistor

Si

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

€ 16,28

€ 0,651 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)

MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 12 A 60 V, 8 broches
Sélectionner le type d'emballage

€ 16,28

€ 0,651 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)

MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 12 A 60 V, 8 broches
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Sélectionner le type d'emballage

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Veuillez vérifier à nouveau plus tard.

QuantitéPrix unitairePar Paquet
25 - 25€ 0,651€ 16,28
50 - 75€ 0,638€ 15,96
100 - 225€ 0,473€ 11,82
250 - 975€ 0,456€ 11,41
1000+€ 0,346€ 8,65

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

12 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Série

NexFET

Type de conditionnement

VSONP

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

1.2e+006 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1.5V

Nombre d'éléments par circuit

1

Matériau du transistor

Si

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus