Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Séries
NexFET
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
20 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
118 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
17,1 nC @ 0 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.1V
Taille
16.51mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
€ 7,55
€ 1,509 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 7,55
€ 1,509 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
5 - 20 | € 1,509 | € 7,55 |
25 - 45 | € 1,167 | € 5,84 |
50+ | € 1,143 | € 5,72 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Séries
NexFET
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
20 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
118 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
17,1 nC @ 0 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.1V
Taille
16.51mm
Détails du produit