MOSFET Toshiba canal N, SOT-23 2 A 40 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type d'emballage
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
390 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±12 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.8mm
Longueur
2.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
1,1 nC @ 4,2 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
0.7mm
Pays d'origine
Thailand
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€ 6,95
€ 0,139 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
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Standard
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 50 - 100 | € 0,139 | € 6,95 |
| 150 - 450 | € 0,116 | € 5,82 |
| 500 - 950 | € 0,10 | € 4,99 |
| 1000+ | € 0,086 | € 4,28 |
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N
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2 A
Tension Drain Source maximum
40 V
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
390 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
2 W
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Single
Tension Grille Source maximum
±12 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.8mm
Longueur
2.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
1,1 nC @ 4,2 V
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