Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
214 A
Tension Drain Source maximum
80 V
Séries
TK
Type de conditionnement
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3,2 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
255 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.45mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.16mm
Charge de Grille type @ Vgs
130 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
15.1mm
Détails du produit
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 23,77
€ 2,38 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
€ 23,77
€ 2,38 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Quantité | Prix unitaire |
---|---|
10 - 19 | € 2,38 |
20 - 49 | € 2,25 |
50 - 249 | € 2,00 |
250+ | € 1,87 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
214 A
Tension Drain Source maximum
80 V
Séries
TK
Type de conditionnement
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3,2 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
255 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.45mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.16mm
Charge de Grille type @ Vgs
130 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
15.1mm
Détails du produit