Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
207 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Séries
TK
Type d'emballage
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3,4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
255 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.45mm
Longueur
10.16mm
Charge de Grille type @ Vgs
140 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
15.1mm
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 91,75
€ 1,835 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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N
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207 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Séries
TK
Type d'emballage
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3,4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
255 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.45mm
Longueur
10.16mm
Charge de Grille type @ Vgs
140 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
15.1mm
Pays d'origine
Japan
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