MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 25 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
25 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Séries
DTMOSIV
Type d'emballage
TO-220SIS
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
125 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
45 W
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.5mm
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
40 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Tension directe de la diode
1.7V
Taille
15mm
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal-N, série TK2x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 11,56
€ 2,313 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,313 | € 11,56 |
| 25 - 45 | € 1,971 | € 9,85 |
| 50 - 120 | € 1,811 | € 9,06 |
| 125 - 245 | € 1,788 | € 8,94 |
| 250+ | € 1,768 | € 8,84 |
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N
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25 A
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
125 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
45 W
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.5mm
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
40 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Tension directe de la diode
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