MOSFET Toshiba canal N, A-220 31 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
31 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de boîtier
TO-220
Séries
TK
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
88 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Dissipation de puissance maximum
230 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.16mm
Charge de Grille type @ Vgs
86 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.45mm
Taille
15.1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, série TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 172,11
€ 3,442 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 172,11
€ 3,442 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 3,442 | € 172,11 |
| 250 - 450 | € 3,098 | € 154,92 |
| 500+ | € 2,823 | € 141,13 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
31 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de boîtier
TO-220
Séries
TK
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
88 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Dissipation de puissance maximum
230 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.16mm
Charge de Grille type @ Vgs
86 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.45mm
Taille
15.1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, série TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.