MOSFET Toshiba canal N, TO-3PN 31 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
31 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Séries
TK
Type de conditionnement
TO-3PN
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
99 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Dissipation de puissance maximum
230 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
4.5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.5mm
Charge de Grille type @ Vgs
105 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
20mm
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, série TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 2,84
€ 2,84 Each (hors TVA)
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 2,84 |
| 10 - 19 | € 1,85 |
| 20 - 39 | € 1,81 |
| 40 - 79 | € 1,76 |
| 80+ | € 1,70 |
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Type de montage
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Nombre de broche
3
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99 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
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230 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
4.5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.5mm
Charge de Grille type @ Vgs
105 nC @ 10 V
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