Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
105 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
TK
Type de boîtier
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5,4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
110000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.45mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.16mm
Charge de Grille type @ Vgs
46 nC @ 10 V
Hauteur
15.1mm
Détails du produit
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 7,10
€ 1,42 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 7,10
€ 1,42 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
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ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
105 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
TK
Type de boîtier
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5,4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
110000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.45mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.16mm
Charge de Grille type @ Vgs
46 nC @ 10 V
Hauteur
15.1mm
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