MOSFET Vishay Siliconix canal P, SOT-23 3,6 A 40 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
3.6 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Séries
TrenchFET
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
100 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
1,7 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.4mm
Longueur
3.04mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Charge de Grille type @ Vgs
12,5 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.02mm
Tension directe de la diode
1.2V
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
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€ 429,43
€ 0,143 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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SOT-23, TO-236
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CMS
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3
Résistance Drain Source maximum
100 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
1,7 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.4mm
Longueur
3.04mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Charge de Grille type @ Vgs
12,5 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
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