MOSFET Vishay Siliconix canal N, PowerPAK SO-8 14,4 A 250 V, 8 broches

N° de stock RS: 178-3875Marque: Vishay SiliconixN° de pièce Mfr: Si7190ADP-T1-RE3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay Siliconix

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

14.4 A

Tension Drain Source maximum

250 V

Séries

TrenchFET

Type de conditionnement

PowerPAK SO-8

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

110 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

56.8 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

5mm

Longueur

5.99mm

Charge de Grille type @ Vgs

14,9 nC @ 10 V

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

150 °C

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.2V

Taille

1.07mm

Pays d'origine

China

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€ 7,45

€ 1,49 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

MOSFET Vishay Siliconix canal N, PowerPAK SO-8 14,4 A 250 V, 8 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

5

Disponible en multiples de 5
5€ 7,45
10€ 14,90
15€ 22,35
20€ 29,80
25€ 37,25
30€ 44,70
35€ 52,15
40€ 59,60
45€ 67,05
50€ 62,07
55€ 68,27
60€ 74,48
65€ 80,69
70€ 86,89
75€ 93,10

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
5 - 45€ 1,49€ 7,45
50 - 95€ 1,241€ 6,21
100 - 495€ 0,964€ 4,82
500 - 995€ 0,845€ 4,22
1000+€ 0,758€ 3,79

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N

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Séries

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CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

110 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

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2V

Dissipation de puissance maximum

56.8 W

Configuration du transistor

Single

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1

Largeur

5mm

Longueur

5.99mm

Charge de Grille type @ Vgs

14,9 nC @ 10 V

Matériau du transistor

Si

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