MOSFET Vishay Siliconix canal N, PowerPAK 1212-8 14,2 A 100 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
14.2 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Séries
TrenchFET
Type de boîtier
PowerPAK 1212-8
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
70 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
24 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
3.15mm
Longueur
3.15mm
Charge de Grille type @ Vgs
8,5 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.07mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Pays d'origine
China
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€ 657,84
€ 0,219 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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PowerPAK 1212-8
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8
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
24 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
3.15mm
Longueur
3.15mm
Charge de Grille type @ Vgs
8,5 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
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