MOSFET Vishay Siliconix canal N, PowerPAK 1212-8 60 A 40 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
60 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Série
TrenchFET
Type de conditionnement
PowerPAK 1212-8
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
2 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.1V
Tension de seuil minimale de la grille
2.4V
Dissipation de puissance maximum
65,7 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-16 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
3.15mm
Longueur
3.15mm
Charge de Grille type @ Vgs
59 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.1V
Hauteur
1.07mm
Pays d'origine
China
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 1 458,00
€ 0,486 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
€ 1 458,00
€ 0,486 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
60 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Série
TrenchFET
Type de conditionnement
PowerPAK 1212-8
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
2 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.1V
Tension de seuil minimale de la grille
2.4V
Dissipation de puissance maximum
65,7 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-16 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
3.15mm
Longueur
3.15mm
Charge de Grille type @ Vgs
59 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.1V
Hauteur
1.07mm
Pays d'origine
China
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.