Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Séries
TrenchFET
Type d'emballage
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
10 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
107 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
2.38mm
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
185 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
6.22mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.5V
Pays d'origine
Taiwan, Province Of China
€ 12,91
€ 1,291 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 12,91
€ 1,291 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
10 - 90 | € 1,291 | € 12,91 |
100 - 490 | € 1,097 | € 10,97 |
500 - 990 | € 0,969 | € 9,69 |
1000+ | € 0,84 | € 8,40 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Séries
TrenchFET
Type d'emballage
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
10 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
107 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
2.38mm
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
185 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
6.22mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.5V
Pays d'origine
Taiwan, Province Of China