MOSFET Vishay Siliconix canal P, DPAK (TO-252) 100 A 40 V, 3 broches

N° de stock RS: 178-3960Marque: Vishay SiliconixN° de pièce Mfr: SQD40061EL_GE3
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

100 A

Tension Drain Source maximum

40 V

Séries

TrenchFET

Type d'emballage

DPAK (TO-252)

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

10 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.5V

Tension de seuil minimale de la grille

1.5V

Dissipation de puissance maximum

107 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

2.38mm

Longueur

6.73mm

Charge de Grille type @ Vgs

185 nC @ 10 V

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Taille

6.22mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.5V

Pays d'origine

Taiwan, Province Of China

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€ 1,291 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
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100 - 490€ 1,097€ 10,97
500 - 990€ 0,969€ 9,69
1000+€ 0,84€ 8,40

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P

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Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

10 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.5V

Tension de seuil minimale de la grille

1.5V

Dissipation de puissance maximum

107 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

2.38mm

Longueur

6.73mm

Charge de Grille type @ Vgs

185 nC @ 10 V

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

+175 °C

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