MOSFET Vishay canal P, TO-220AB 19 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
19 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
200 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
150 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
61 nC @ 10 V
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
9.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 8,08
€ 1,616 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 8,08
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,616 | € 8,08 |
| 50 - 120 | € 1,374 | € 6,87 |
| 125 - 245 | € 1,293 | € 6,46 |
| 250 - 495 | € 1,212 | € 6,06 |
| 500+ | € 1,131 | € 5,66 |
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-100 V
Type de boîtier
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
200 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
150 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
61 nC @ 10 V
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
9.01mm
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