MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 4,1 A 800 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
4.1 A
Tension Drain Source maximum
800 V
Type de conditionnement
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
78 nC @ 10 V
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Taille
9.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 600 à 1 000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 2,19
€ 2,19 Each (hors TVA)
Standard
1
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1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 2,19 |
| 10 - 49 | € 2,14 |
| 50 - 99 | € 2,04 |
| 100 - 249 | € 1,92 |
| 250+ | € 1,83 |
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
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125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
78 nC @ 10 V
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Taille
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