MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 1,4 A 1 000 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1.4 A
Tension Drain Source maximum
1000 V
Type de conditionnement
TO-220AB
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
11 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
54 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
38 nC V @ 10
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
9.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 600 à 1 000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 1,69
€ 1,69 Each (hors TVA)
Standard
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 1,69 |
| 10 - 49 | € 1,42 |
| 50 - 99 | € 1,35 |
| 100 - 249 | € 1,27 |
| 250+ | € 1,19 |
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3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
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Configuration du transistor
Single
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Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
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Longueur
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Température d'utilisation maximum
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Hauteur
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