Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
23 A
Tension Drain Source maximum
400 V
Type de conditionnement
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
200 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
280 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.31mm
Longueur
15.87mm
Charge de Grille type @ Vgs
210 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
20.7mm
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 300 à 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 81,54
€ 3,262 Each (In a Tube of 25) (hors TVA)
25
€ 81,54
€ 3,262 Each (In a Tube of 25) (hors TVA)
25
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Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
---|---|---|
25 - 25 | € 3,262 | € 81,54 |
50 - 100 | € 3,197 | € 79,93 |
125+ | € 3,034 | € 75,85 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
23 A
Tension Drain Source maximum
400 V
Type de conditionnement
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
200 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
280 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.31mm
Longueur
15.87mm
Charge de Grille type @ Vgs
210 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
20.7mm
Détails du produit