MOSFET Vishay canal N, SOIC 12.7 A 25 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
12.7 A
Tension Drain Source maximum
25 V
Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
9 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.6V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
17,5 nC @ 4,5 V, 37 nC @ 10 V
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Taille
1.55mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 8 à 25 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 42,07
€ 0,841 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
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Paquet de production (Bobine)
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 245 | € 0,841 | € 4,21 |
| 250 - 495 | € 0,761 | € 3,80 |
| 500 - 1245 | € 0,718 | € 3,59 |
| 1250+ | € 0,673 | € 3,36 |
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N
Courant continu de Drain maximum
12.7 A
Tension Drain Source maximum
25 V
Type de boîtier
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
9 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.6V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
17,5 nC @ 4,5 V, 37 nC @ 10 V
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Taille
1.55mm
Température de fonctionnement minimum
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