MOSFET Vishay canal N, PowerPAK SO-8 20 A 40 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de conditionnement
PowerPAK SO-8
Type de montage
CMS
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum
22 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
15.6 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
5.99mm
Charge de Grille type @ Vgs
10 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Taille
1.07mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N, Vishay Semiconductors
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 108,82
€ 1,088 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 108,82
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Paquet de production (Bobine)
100
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 1,088 | € 10,88 |
| 250 - 490 | € 0,916 | € 9,16 |
| 500 - 990 | € 0,859 | € 8,59 |
| 1000+ | € 0,802 | € 8,02 |
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N
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Tension Drain Source maximum
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Type de conditionnement
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Type de montage
CMS
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum
22 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
15.6 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
5.99mm
Charge de Grille type @ Vgs
10 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Taille
1.07mm
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