MOSFET Vishay canal N, PowerPAK SO-8 6.2 A 60 V, 8 broches

N° de stock RS: 710-4764Marque: VishayN° de pièce Mfr: SI7850DP-T1-E3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

6.2 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type de boîtier

PowerPAK SO-8

Type de fixation

CMS

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum

22 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

1.8 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

5.89mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

4.9mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Charge de Grille type @ Vgs

18 nC V @ 10

Taille

1.04mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET canal N, de 60 à 90 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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MOSFET, N-CHANNEL, 60V, 10.3A, 4.55W, SO-8
MOSFET, N-CHANNEL, 60V, 10.3A, 4.55W, SO-8Marque: Vishay
Prix ​​sur demandeEach (hors TVA)

€ 9,30

€ 1,86 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal N, PowerPAK SO-8 6.2 A 60 V, 8 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

5

Disponible en multiples de 5
5€ 9,30
10€ 18,60
15€ 27,90
20€ 37,20
25€ 46,50
30€ 55,80
35€ 65,10
40€ 74,41
45€ 83,71
50€ 79,03
55€ 86,94
60€ 94,84
65€ 102,74
70€ 110,65
75€ 118,55

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50€ 79,03
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QuantitéPrix unitairePar Paquet
5 - 45€ 1,86€ 9,30
50 - 120€ 1,581€ 7,90
125 - 245€ 1,377€ 6,88
250 - 495€ 1,134€ 5,67
500+€ 0,896€ 4,48

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MOSFET, N-CHANNEL, 60V, 10.3A, 4.55W, SO-8Marque: Vishay
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Vishay

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

6.2 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

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Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum

22 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

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1V

Dissipation de puissance maximum

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Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

5.89mm

Matériau du transistor

Si

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1

Longueur

4.9mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Charge de Grille type @ Vgs

18 nC V @ 10

Taille

1.04mm

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