MOSFET Vishay canal P, Micro FOOT 4,3 A 20 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
4.3 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
MICRO FOOT
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum
82 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.5V
Dissipation de puissance maximum
1.8 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Largeur
1mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
1mm
Charge de Grille type @ Vgs
17,5 nF @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.268mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 8 à 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 47,65
€ 0,238 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
200
€ 47,65
€ 0,238 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
200
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 200 - 980 | € 0,238 | € 4,76 |
| 1000 - 1980 | € 0,216 | € 4,33 |
| 2000 - 4980 | € 0,203 | € 4,06 |
| 5000+ | € 0,19 | € 3,80 |
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P
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4.3 A
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Type de boîtier
MICRO FOOT
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum
82 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.5V
Dissipation de puissance maximum
1.8 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Largeur
1mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
1mm
Charge de Grille type @ Vgs
17,5 nF @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.268mm
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