MOSFET Vishay canal N/P, SOT-363 4,3 A, 4,5 A 12 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
4.3 A, 4.5 A
Tension Drain Source maximum
12 V
Type de boîtier
SOT-363
Type de montage
CMS
Nombre de broches
6
Résistance Drain Source maximum
65 mΩ, 170 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
6.5 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Largeur
2.15mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
2.15mm
Charge de Grille type @ Vgs
13,1 nC @ 8 V, 9,7 nC @ 8 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N/P, Vishay Semiconductors
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 87,43
€ 0,437 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
200
€ 87,43
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Paquet de production (Bobine)
200
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 200 - 480 | € 0,437 | € 8,74 |
| 500 - 980 | € 0,367 | € 7,34 |
| 1000 - 1980 | € 0,347 | € 6,94 |
| 2000+ | € 0,297 | € 5,94 |
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Courant continu de Drain maximum
4.3 A, 4.5 A
Tension Drain Source maximum
12 V
Type de boîtier
SOT-363
Type de montage
CMS
Nombre de broches
6
Résistance Drain Source maximum
65 mΩ, 170 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
6.5 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Largeur
2.15mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
2.15mm
Charge de Grille type @ Vgs
13,1 nC @ 8 V, 9,7 nC @ 8 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.8mm
Température de fonctionnement minimum
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