Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
2 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
40 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
22 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
9.65mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
4.83mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 8,75
€ 0,875 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 8,75
€ 0,875 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,875 | € 8,75 |
100 - 240 | € 0,657 | € 6,57 |
250 - 490 | € 0,543 | € 5,43 |
500 - 990 | € 0,481 | € 4,81 |
1000+ | € 0,458 | € 4,58 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
2 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
40 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
22 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
9.65mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
4.83mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit