MOSFET Wolfspeed canal N, Demi-pont 193 A 1200 V, 7 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
WolfspeedType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
193 A
Tension Drain Source maximum
1200 V
Type d'emballage
Half Bridge
Type de montage
Screw Mount
Nombre de broche
7
Résistance Drain Source maximum
30 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.6V
Tension de seuil minimale de la grille
1.8V
Dissipation de puissance maximum
925 W
Configuration du transistor
Series
Tension Grille Source maximum
-10 V, +25 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
61.4mm
Longueur
106.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
378 nC @ 20 V
Matériau du transistor
SiC
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension directe de la diode
2.4V
Taille
30mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Modules MOSFET d'alimentation en carbure de silicium Wolfspeed
Modules MOSFET d'alimentation en carbure de silicium, de Wolfspeed, la division Power de Cree Inc. Ces modules MOSFET SiC sont logés dans des boîtiers standard industriels et sont disponibles en formats demi-pont (2 transistors MOSFET) et 3 phases (6 transistors MOSFET) ; ils incluent également des diodes de récupération inverse SiC. Les applications typiques incluent le chauffage par induction, les inverseurs solaires et éoliens, les convertisseurs c.c.-c.c., les PFC 3 phases, les variateurs de régénération de ligne, les systèmes d'alimentation sans coupure (UPS) et d'alimentations à découpage (SMPS), les entraînements de moteur et les chargeurs de batterie.
• Le courant de queue de désactivation MOSFET et le courant de récupération inverse de diode équivalent effectivement à zéro.
• Fonctionnement haute fréquence et ultra faibles pertes
• Mise en parallèle facile grâce aux caractéristiques SiC
• Normalement éteint, fonctionnement à sécurité intégrée
• Base en cuivre et isolant en nitrure d'aluminium pour réduire les exigences thermiques
MOSFET Transistors, Wolfspeed
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€ 4 956,00
€ 495,60 Each (In a Box of 10) (hors TVA)
10
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Nombre de broche
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Résistance Drain Source maximum
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Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.6V
Tension de seuil minimale de la grille
1.8V
Dissipation de puissance maximum
925 W
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Series
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-10 V, +25 V
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2
Largeur
61.4mm
Longueur
106.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
378 nC @ 20 V
Matériau du transistor
SiC
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension directe de la diode
2.4V
Taille
30mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Modules MOSFET d'alimentation en carbure de silicium Wolfspeed
Modules MOSFET d'alimentation en carbure de silicium, de Wolfspeed, la division Power de Cree Inc. Ces modules MOSFET SiC sont logés dans des boîtiers standard industriels et sont disponibles en formats demi-pont (2 transistors MOSFET) et 3 phases (6 transistors MOSFET) ; ils incluent également des diodes de récupération inverse SiC. Les applications typiques incluent le chauffage par induction, les inverseurs solaires et éoliens, les convertisseurs c.c.-c.c., les PFC 3 phases, les variateurs de régénération de ligne, les systèmes d'alimentation sans coupure (UPS) et d'alimentations à découpage (SMPS), les entraînements de moteur et les chargeurs de batterie.
• Le courant de queue de désactivation MOSFET et le courant de récupération inverse de diode équivalent effectivement à zéro.
• Fonctionnement haute fréquence et ultra faibles pertes
• Mise en parallèle facile grâce aux caractéristiques SiC
• Normalement éteint, fonctionnement à sécurité intégrée
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MOSFET Transistors, Wolfspeed
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