MOSFET Wolfspeed canal N, Demi-pont 325 A 1700 V, 7 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
WolfspeedType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
325 A
Tension Drain Source maximum
1700 V
Type de boîtier
Half Bridge
Type de montage
Screw Mount
Nombre de broche
7
Résistance Drain Source maximum
20 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.3V
Tension de seuil minimale de la grille
1.8V
Dissipation de puissance maximum
1.76 kW
Configuration du transistor
Series
Tension Grille Source maximum
-10 V, +25 V
Largeur
61.4mm
Matériau du transistor
SiC
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
106.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
1 076 nC @ 20 V, 1 076 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
30mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension directe de la diode
2.5V
Détails du produit
Modules MOSFET d'alimentation en carbure de silicium Wolfspeed
Modules MOSFET d'alimentation en carbure de silicium, de Wolfspeed, la division Power de Cree Inc. Ces modules MOSFET SiC sont logés dans des boîtiers standard industriels et sont disponibles en formats demi-pont (2 transistors MOSFET) et 3 phases (6 transistors MOSFET) ; ils incluent également des diodes de récupération inverse SiC. Les applications typiques incluent le chauffage par induction, les inverseurs solaires et éoliens, les convertisseurs c.c.-c.c., les PFC 3 phases, les variateurs de régénération de ligne, les systèmes d'alimentation sans coupure (UPS) et d'alimentations à découpage (SMPS), les entraînements de moteur et les chargeurs de batterie.
• Le courant de queue de désactivation MOSFET et le courant de récupération inverse de diode équivalent effectivement à zéro.
• Fonctionnement haute fréquence et ultra faibles pertes
• Mise en parallèle facile grâce aux caractéristiques SiC
• Normalement éteint, fonctionnement à sécurité intégrée
• Base en cuivre et isolant en nitrure d'aluminium pour réduire les exigences thermiques
MOSFET Transistors, Wolfspeed
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€ 1 138,13
€ 1 138,13 Each (hors TVA)
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1700 V
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Nombre de broche
7
Résistance Drain Source maximum
20 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.3V
Tension de seuil minimale de la grille
1.8V
Dissipation de puissance maximum
1.76 kW
Configuration du transistor
Series
Tension Grille Source maximum
-10 V, +25 V
Largeur
61.4mm
Matériau du transistor
SiC
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
106.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
1 076 nC @ 20 V, 1 076 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
30mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension directe de la diode
2.5V
Détails du produit
Modules MOSFET d'alimentation en carbure de silicium Wolfspeed
Modules MOSFET d'alimentation en carbure de silicium, de Wolfspeed, la division Power de Cree Inc. Ces modules MOSFET SiC sont logés dans des boîtiers standard industriels et sont disponibles en formats demi-pont (2 transistors MOSFET) et 3 phases (6 transistors MOSFET) ; ils incluent également des diodes de récupération inverse SiC. Les applications typiques incluent le chauffage par induction, les inverseurs solaires et éoliens, les convertisseurs c.c.-c.c., les PFC 3 phases, les variateurs de régénération de ligne, les systèmes d'alimentation sans coupure (UPS) et d'alimentations à découpage (SMPS), les entraînements de moteur et les chargeurs de batterie.
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• Fonctionnement haute fréquence et ultra faibles pertes
• Mise en parallèle facile grâce aux caractéristiques SiC
• Normalement éteint, fonctionnement à sécurité intégrée
• Base en cuivre et isolant en nitrure d'aluminium pour réduire les exigences thermiques
MOSFET Transistors, Wolfspeed
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