MOSFET DiodesZetex canal N, X1-DFN1212 900 mA 20 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
900 mA
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
X1-DFN1212
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1.6 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Tension de seuil minimale de la grille
0.45V
Dissipation de puissance maximum
890 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±12 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.25mm
Longueur
1.25mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,7 nC @ 4,5 V
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
0.48mm
Pays d'origine
China
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€ 142,62
€ 0,048 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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N
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Type de conditionnement
X1-DFN1212
Type de montage
CMS
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3
Résistance Drain Source maximum
1.6 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Tension de seuil minimale de la grille
0.45V
Dissipation de puissance maximum
890 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±12 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.25mm
Longueur
1.25mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,7 nC @ 4,5 V
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