Transistor MOSFET Fairchild Semiconductor canal N, TO-220AB 66 A 55 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum
66 A
Tension Drain Source maximum
55 V
Type de conditionnement
TO-220AB
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
16 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
150 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
70 nC @ 20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.67mm
Largeur
4.83mm
Hauteur
9.65mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor
Le transistor MOSFET à tranchée UItraFET® regroupe des caractéristiques offrant une efficacité dans les tests d'applications de conversion de puissance. Le circuit est capable de résister aux pics de tension en mode avalanche, et la diode présente un temps de recouvrement inverse et une charge emmagasinée faibles. Optimisé pour efficacité à hautes fréquences, RDS(on) les plus faibles, ESR faible, et faible charge de grille totale et Miller.
Les applications de convertisseurs c.c./c.c. à haute fréquence, de régulateurs à découpage, de commandes de moteur, de commutateurs de bus basse tension et de gestion d'alimentation.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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Prix sur demande
1
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±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
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Longueur
10.67mm
Largeur
4.83mm
Hauteur
9.65mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Transistor MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor
Le transistor MOSFET à tranchée UItraFET® regroupe des caractéristiques offrant une efficacité dans les tests d'applications de conversion de puissance. Le circuit est capable de résister aux pics de tension en mode avalanche, et la diode présente un temps de recouvrement inverse et une charge emmagasinée faibles. Optimisé pour efficacité à hautes fréquences, RDS(on) les plus faibles, ESR faible, et faible charge de grille totale et Miller.
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