MOSFET Infineon canal N, SOT-23 300 mA 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
0.3 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
TO-236
Série
OptiMOS™
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
0,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.9mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
0,4 nC @ 10 V
Largeur
1.3mm
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor de puissance MOSFET à petits signaux OptiMOS™ d'Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 4,46
€ 0,045 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
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4 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
0,5 W
Configuration du transistor
Single
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±20 V
Matériau du transistor
Si
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1
Longueur
2.9mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
0,4 nC @ 10 V
Largeur
1.3mm
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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MOSFET Transistors, Infineon
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