Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonTaille mémoire
64kbit
Configuration
8K x 8 bits
Type d'interface
SPI
Largeur de bus de données
8bit
Temps d'accès aléatoire maximum
20ns
Type de montage
CMS
Type d'emballage
DFN EP
Nombre de broche
8
Dimensions
4 x 4.5 x 0.7mm
Longueur
4.5mm
Largeur
4mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.65 V
Taille
0.7mm
Température d'utilisation maximum
85 °C
Nombre de mots
8K
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2.7 V
Nombre de bits par mot
8bit
Standard automobile
AEC-Q100
Détails du produit
FRAM, Cypress Semiconductor
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) est éco-énergétique et offre la plus grande fiabilité en termes de RAM non volatile à la fois pour les interfaces série et parallèle. Les pièces avec le suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.
Mémoire vive ferroélectrique non volatile
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
€ 6,50
€ 3,249 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
€ 6,50
€ 3,249 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
2 - 8 | € 3,249 | € 6,50 |
10 - 48 | € 2,817 | € 5,63 |
50 - 98 | € 2,735 | € 5,47 |
100 - 498 | € 2,449 | € 4,90 |
500+ | € 2,343 | € 4,69 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonTaille mémoire
64kbit
Configuration
8K x 8 bits
Type d'interface
SPI
Largeur de bus de données
8bit
Temps d'accès aléatoire maximum
20ns
Type de montage
CMS
Type d'emballage
DFN EP
Nombre de broche
8
Dimensions
4 x 4.5 x 0.7mm
Longueur
4.5mm
Largeur
4mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.65 V
Taille
0.7mm
Température d'utilisation maximum
85 °C
Nombre de mots
8K
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2.7 V
Nombre de bits par mot
8bit
Standard automobile
AEC-Q100
Détails du produit
FRAM, Cypress Semiconductor
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) est éco-énergétique et offre la plus grande fiabilité en termes de RAM non volatile à la fois pour les interfaces série et parallèle. Les pièces avec le suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.
Mémoire vive ferroélectrique non volatile
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.