MOSFET Infineon canal N, DPAK (TO-252) 4 A 800 V, 3 broches

N° de stock RS: 168-5917Marque: InfineonN° de pièce Mfr: IPD80R1K4P7ATMA1
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

4 A

Tension Drain Source maximum

800 V

Série

CoolMOS™ P7

Type de conditionnement

DPAK (TO-252)

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

1.4 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3.5V

Tension de seuil minimale de la grille

2.5V

Dissipation de puissance maximum

32 W

Tension Grille Source maximum

±30 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

6.22mm

Longueur

6.73mm

Charge de Grille type @ Vgs

10 nC V @ 10

Température d'utilisation maximum

150 °C

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

0.9V

Taille

2.41mm

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™ P7

La famille de transistor de puissance CoolMOS P7 800 V offre un meilleur rendement et de meilleures performances thermiques. Les applications adaptées sont les adaptateurs d'alimentation, l'éclairage à LED, les applications audio, industrielles et l'alimentation auxiliaire.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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€ 876,00

€ 0,35 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Bobine
2500 - 2500€ 0,35€ 876,00
5000+€ 0,333€ 832,20

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4 A

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Type de conditionnement

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Type de fixation

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

1.4 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3.5V

Tension de seuil minimale de la grille

2.5V

Dissipation de puissance maximum

32 W

Tension Grille Source maximum

±30 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

6.22mm

Longueur

6.73mm

Charge de Grille type @ Vgs

10 nC V @ 10

Température d'utilisation maximum

150 °C

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

0.9V

Taille

2.41mm

Pays d'origine

China

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