Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
4 A
Tension Drain Source maximum
800 V
Série
CoolMOS™ P7
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1.4 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
32 W
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.22mm
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
10 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
0.9V
Taille
2.41mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™ P7
La famille de transistor de puissance CoolMOS P7 800 V offre un meilleur rendement et de meilleures performances thermiques. Les applications adaptées sont les adaptateurs d'alimentation, l'éclairage à LED, les applications audio, industrielles et l'alimentation auxiliaire.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 876,00
€ 0,35 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
€ 876,00
€ 0,35 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
2500 - 2500 | € 0,35 | € 876,00 |
5000+ | € 0,333 | € 832,20 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
4 A
Tension Drain Source maximum
800 V
Série
CoolMOS™ P7
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1.4 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
32 W
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.22mm
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
10 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
0.9V
Taille
2.41mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™ P7
La famille de transistor de puissance CoolMOS P7 800 V offre un meilleur rendement et de meilleures performances thermiques. Les applications adaptées sont les adaptateurs d'alimentation, l'éclairage à LED, les applications audio, industrielles et l'alimentation auxiliaire.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.