Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
11 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Séries
HEXFET
Type d'emballage
PQFN
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
2
Matériau du transistor
Silicium
€ 63,88
€ 0,511 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
125
€ 63,88
€ 0,511 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
125
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Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
125 - 225 | € 0,511 | € 12,78 |
250 - 600 | € 0,49 | € 12,24 |
625 - 1225 | € 0,323 | € 8,08 |
1250+ | € 0,259 | € 6,48 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
11 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Séries
HEXFET
Type d'emballage
PQFN
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
2
Matériau du transistor
Silicium