MOSFET Infineon canal N, A-220 11 A 800 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
11 A
Tension Drain Source maximum
800 V
Série
CoolMOS™ C3
Type de conditionnement
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
450 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.9V
Tension de seuil minimale de la grille
2.1V
Dissipation de puissance maximum
41 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
64 nC @ 10 V
Largeur
4.85mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.65mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
9.83mm
Détails du produit
Transistors MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™C3
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 2,67
€ 2,67 Each (hors TVA)
Standard
1
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1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 2,67 |
| 10 - 24 | € 2,37 |
| 25 - 49 | € 2,22 |
| 50 - 99 | € 2,04 |
| 100+ | € 1,88 |
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Série
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TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.9V
Tension de seuil minimale de la grille
2.1V
Dissipation de puissance maximum
41 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
4.85mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.65mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
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