MOSFET IXYS canal N, A-247 12 A 1000 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
12 A
Tension Drain Source maximum
1000 V
Série
Linear
Type de conditionnement
TO-247
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1.3 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Dissipation de puissance maximum
400 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.3mm
Longueur
16.26mm
Charge de Grille type @ Vgs
155 nC @ 20 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
21.46mm
Pays d'origine
Germany
Détails du produit
MOSFET de puissance canal N, série IXYS Linear
MOSFET de puissance canal N conçus spécifiquement pour un fonctionnement linéaire. Circuits avec FBSOA (Forward Bias Safe Operating Area) étendue, pour une solidité et une fiabilité accrues.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 542,52
€ 18,084 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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Enrichissement
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5V
Dissipation de puissance maximum
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Single
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1
Largeur
5.3mm
Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
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Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
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Germany
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