Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
310 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type d'emballage
SOT-323
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1.6 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.4V
Tension de seuil minimale de la grille
1.1V
Dissipation de puissance maximum
260 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,6 nC @ 2,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Largeur
1.35mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1mm
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 60 à 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 10,70
€ 0,053 Each (In a Pack of 200) (hors TVA)
Standard
200
€ 10,70
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Standard
200
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Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
310 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type d'emballage
SOT-323
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1.6 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.4V
Tension de seuil minimale de la grille
1.1V
Dissipation de puissance maximum
260 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,6 nC @ 2,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Largeur
1.35mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1mm
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit