MOSFET Nexperia canal P, SOT-23 130 mA 50 V, 3 broches

N° de stock RS: 436-8091PMarque: NexperiaN° de pièce Mfr: BSS84,215
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Nexperia

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

130 mA

Tension Drain Source maximum

50 V

Type de conditionnement

SOT-23, TO-236

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

10Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2V

Tension de seuil minimale de la grille

0.8V

Dissipation de puissance maximum

250 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

1.4mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

3mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Température de fonctionnement minimum

-65 °C

Taille

1mm

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET canal P, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

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MOSFET onsemi canal P, SOT-23 130 mA 50 V, 3 broches
MOSFET onsemi canal P, SOT-23 130 mA 50 V, 3 brochesMarque: onsemi
€ 0,328Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

€ 5,82

Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET Nexperia canal P, SOT-23 130 mA 50 V, 3 broches
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Paquet de production (Bobine)

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Standard - each

Disponible en multiples de 10.

Production -

Disponible en multiples de 10.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

50

Disponible en multiples de 10
50€ 5,82
60€ 6,99
70€ 8,15
80€ 9,32
90€ 10,48
100€ 11,65
110€ 12,81
120€ 13,98
130€ 15,14
140€ 16,31
150€ 17,47
160€ 18,64
170€ 19,80
180€ 20,97
190€ 22,13

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P

Courant continu de Drain maximum

130 mA

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50 V

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SOT-23, TO-236

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

10Ω

Mode de canal

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Tension de seuil maximale de la grille

2V

Tension de seuil minimale de la grille

0.8V

Dissipation de puissance maximum

250 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

1.4mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

3mm

Température d'utilisation maximum

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