Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
7 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Séries
SuperFET
Type d'emballage
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
600 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
83 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
23 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Taille
2.39mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.4V
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N SuperFET® et SuperFET® II, Fairchild Semiconductor
Fairchild a ajouté la famille de transistors de puissance MOSFET haute tension SuperFET® II grâce à la technologie Super Junction. Elle offre les meilleures performances en matière de diode à corps robuste dans les applications d'alimentations à découpage c.a.-c.c. telles que les serveurs, les télécommunications, l'informatique, les alimentations industrielles, les alimentations dans interruption, les signaux et signalisations électroniques, les convertisseurs solaires, les applications d'éclairage qui exigent forte densité de puissance, rendement système et fiabilité.
En utilisant une technologie d'équilibrage de charge avancée, les concepteurs obtiennent des solutions plus efficaces, rentables et performantes qui prennent moins de place sur le circuit et améliorent la fiabilité.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
€ 10,22
€ 2,044 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
5
€ 10,22
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Tension Drain Source maximum
600 V
Séries
SuperFET
Type d'emballage
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
600 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
83 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
23 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Taille
2.39mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.4V
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N SuperFET® et SuperFET® II, Fairchild Semiconductor
Fairchild a ajouté la famille de transistors de puissance MOSFET haute tension SuperFET® II grâce à la technologie Super Junction. Elle offre les meilleures performances en matière de diode à corps robuste dans les applications d'alimentations à découpage c.a.-c.c. telles que les serveurs, les télécommunications, l'informatique, les alimentations industrielles, les alimentations dans interruption, les signaux et signalisations électroniques, les convertisseurs solaires, les applications d'éclairage qui exigent forte densité de puissance, rendement système et fiabilité.
En utilisant une technologie d'équilibrage de charge avancée, les concepteurs obtiennent des solutions plus efficaces, rentables et performantes qui prennent moins de place sur le circuit et améliorent la fiabilité.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.