MOSFET onsemi canal N, A-247 46 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
46 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Séries
SupreMOS
Type de boîtier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
64 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
368 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.87mm
Charge de Grille type @ Vgs
121 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.82mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
20.82mm
Détails du produit
Transistor MOSFET SupreMOS®, Fairchild Semiconductor
Fairchild introduit une nouvelle génération de transistors MOSFET 600 V Super Junction : SupreMOS®.
La combinaison de leur RDS(on) et de leur charge totale de grille faibles améliore de 40 % le facteur de mérite par rapport aux transistors MOSFET 600 V SuperFET™ de Fairchild. Par ailleurs, la famille SupreMOS offre une faible charge de grille pour le même RDS(on), offrant d'excellentes performances de commutation et une baisse de 20 % des pertes de conduction et de commutation, pour un meilleur rendement.
Ces caractéristiques permettent aux alimentations de répondre aux exigences des classifications Energy Star 80 PLUS Gold et Platinum pour ordinateurs de bureau et serveurs.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 11,85
€ 11,85 Each (hors TVA)
Standard
1
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2V
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±30 V
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Si
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1
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Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.82mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
20.82mm
Détails du produit
Transistor MOSFET SupreMOS®, Fairchild Semiconductor
Fairchild introduit une nouvelle génération de transistors MOSFET 600 V Super Junction : SupreMOS®.
La combinaison de leur RDS(on) et de leur charge totale de grille faibles améliore de 40 % le facteur de mérite par rapport aux transistors MOSFET 600 V SuperFET™ de Fairchild. Par ailleurs, la famille SupreMOS offre une faible charge de grille pour le même RDS(on), offrant d'excellentes performances de commutation et une baisse de 20 % des pertes de conduction et de commutation, pour un meilleur rendement.
Ces caractéristiques permettent aux alimentations de répondre aux exigences des classifications Energy Star 80 PLUS Gold et Platinum pour ordinateurs de bureau et serveurs.
MOSFET Transistors, ON Semi
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