MOSFET onsemi canal N, A-247 46 A 600 V, 3 broches

N° de stock RS: 864-7887Marque: onsemiN° de pièce Mfr: FCH47N60NF
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Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

46 A

Tension Drain Source maximum

600 V

Séries

SupreMOS

Type de boîtier

TO-247

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

64 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

368 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

15.87mm

Charge de Grille type @ Vgs

121 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

4.82mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Taille

20.82mm

Détails du produit

Transistor MOSFET SupreMOS®, Fairchild Semiconductor

Fairchild introduit une nouvelle génération de transistors MOSFET 600 V Super Junction : SupreMOS®.
La combinaison de leur RDS(on) et de leur charge totale de grille faibles améliore de 40 % le facteur de mérite par rapport aux transistors MOSFET 600 V SuperFET™ de Fairchild. Par ailleurs, la famille SupreMOS offre une faible charge de grille pour le même RDS(on), offrant d'excellentes performances de commutation et une baisse de 20 % des pertes de conduction et de commutation, pour un meilleur rendement.
Ces caractéristiques permettent aux alimentations de répondre aux exigences des classifications Energy Star 80 PLUS Gold et Platinum pour ordinateurs de bureau et serveurs.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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Température d'utilisation maximum

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Largeur

4.82mm

Température de fonctionnement minimum

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Taille

20.82mm

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Fairchild introduit une nouvelle génération de transistors MOSFET 600 V Super Junction : SupreMOS®.
La combinaison de leur RDS(on) et de leur charge totale de grille faibles améliore de 40 % le facteur de mérite par rapport aux transistors MOSFET 600 V SuperFET™ de Fairchild. Par ailleurs, la famille SupreMOS offre une faible charge de grille pour le même RDS(on), offrant d'excellentes performances de commutation et une baisse de 20 % des pertes de conduction et de commutation, pour un meilleur rendement.
Ces caractéristiques permettent aux alimentations de répondre aux exigences des classifications Energy Star 80 PLUS Gold et Platinum pour ordinateurs de bureau et serveurs.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
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