Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
150 mA
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SC-75
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
7,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-10 V, +10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
Longueur
1.65mm
Largeur
0.9mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
0.8mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N avec diode Schottky, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 42,95
€ 0,086 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
500
€ 42,95
€ 0,086 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
500
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
500 - 1200 | € 0,086 | € 4,30 |
1250 - 2450 | € 0,081 | € 4,07 |
2500 - 4950 | € 0,074 | € 3,72 |
5000+ | € 0,069 | € 3,44 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
150 mA
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SC-75
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
7,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-10 V, +10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
Longueur
1.65mm
Largeur
0.9mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
0.8mm
Détails du produit