MOSFET onsemi canal N/P, SOT-363 1,3 A 8 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
1.3 A
Tension Drain Source maximum
8 V
Type d'emballage
SOT-363
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
320 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
0,4 W
Configuration du transistor
Commutateur en charge N+P
Tension Grille Source maximum
+8 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
1.35mm
Longueur
2.2mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N/P, ON Semiconductor
Le NTJD1155L est un transistor MOSFET double canal. Avec des canaux P et N dans un seul boîtier, ce transistor MOSFET est brillant pour le signal de commande faible, les tensions de batterie faibles et les courants de charge élevés. Le canal N est doté d'une protection ESD interne et peut être commandé par des signaux logiques jusqu'à 1,5 V, tandis que le canal P est conçu pour être utilisé sur les applications de commutation de charge. Le canal P est également conçu avec la technologie de tranchée ON semi.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 427,86
€ 0,143 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Tension de seuil maximale de la grille
1V
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0,4 W
Configuration du transistor
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Tension Grille Source maximum
+8 V
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2
Largeur
1.35mm
Longueur
2.2mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N/P, ON Semiconductor
Le NTJD1155L est un transistor MOSFET double canal. Avec des canaux P et N dans un seul boîtier, ce transistor MOSFET est brillant pour le signal de commande faible, les tensions de batterie faibles et les courants de charge élevés. Le canal N est doté d'une protection ESD interne et peut être commandé par des signaux logiques jusqu'à 1,5 V, tandis que le canal P est conçu pour être utilisé sur les applications de commutation de charge. Le canal P est également conçu avec la technologie de tranchée ON semi.
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